买卖IC网 >> 产品目录 >> SiS780DN-T1-GE3 MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SiS780DN-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts
SiS780DN-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 18 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.011 Ohms
配置 Single
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK 1212-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SiS780DN-T1-GE3
SiS782DN-T1-GE3
SIS83C611
SIS85C206
SIS85C407
SIS85C496
供应商
公司名
电话
深圳市硅宇电子有限公司 13424293654 唐先生
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市创芯弘科技有限公司 13410000176 (2014年前十佳IC供应商)
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
深圳市创乐电子科技有限公司 13554877245 李创华
深圳市科思奇电子科技有限公司 0755-83245050 林小姐/欧阳先生
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
深圳市瑞斯特电子科技有限公司 0755-82550910 杨锐锋
深圳市佳斯泰科技有限公司 13714291754 欧阳先生
  • SiS780DN-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.608 0.608
    10 0.58 5.8
    100 0.428 42.8
    250 0.372 93
    3,000 0.304 912
    6,000 0 0